Casa Productos Circuitos integrados (ICS)MemoriaIS61NVP51236-250B3-TR

IS61NVP51236-250B3-TR

Número de pieza :	IS61NVP51236-250B3-TR
Fabricante / Marca :	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Descripción :	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
Estado RoHS :	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4645 pcs
Especificaciones	IS61NVP51236-250B3-TR.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página	-
Suministro de voltaje	2.375 V ~ 2.625 V
Tecnología	SRAM - Synchronous
Paquete del dispositivo	165-TFBGA (13x15)
Serie	-
embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	165-TBGA
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	3 (168 Hours)
Tipo de memoria	Volatile
Tamaño de la memoria	18Mb (512K x 36)
Interfaz de memoria	Parallel
Formato de memoria	SRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada	SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 250MHz 2.6ns 165-TFBGA (13x15)
Frecuencia de reloj	250MHz
Tiempo de acceso	2.6ns

ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Las imágenes son sólo para referencia. Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
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