Número de pieza : |
IS61NVP51236B-200B3I-TR |
Fabricante / Marca : |
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Descripción : |
IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA |
Estado RoHS : |
Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible |
5941 pcs |
Especificaciones |
IS61NVP51236B-200B3I-TR.pdf |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página |
- |
Suministro de voltaje |
2.375 V ~ 2.625 V |
Tecnología |
SRAM - Synchronous |
Paquete del dispositivo |
165-TFBGA (13x15) |
Serie |
- |
embalaje |
Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta |
165-TBGA |
Temperatura de funcionamiento |
-40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje |
Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) |
3 (168 Hours) |
Tipo de memoria |
Volatile |
Tamaño de la memoria |
18Mb (512K x 36) |
Interfaz de memoria |
Parallel |
Formato de memoria |
SRAM |
Estado sin plomo / Estado RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada |
SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3ns 165-TFBGA (13x15) |
Frecuencia de reloj |
200MHz |
Tiempo de acceso |
3ns |