Casa Productos Circuitos integrados (ICS)MemoriaIS61NVP51236-200B3I

IS61NVP51236-200B3I

Número de pieza :	IS61NVP51236-200B3I
Fabricante / Marca :	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Descripción :	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
Estado RoHS :	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	5318 pcs
Especificaciones	1.IS61NVP51236-200B3I.pdf 2.IS61NVP51236-200B3I.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página	-
Suministro de voltaje	2.375 V ~ 2.625 V
Tecnología	SRAM - Synchronous
Paquete del dispositivo	165-TFBGA (13x15)
Serie	-
embalaje	Tray
Paquete / Cubierta	165-LFBGA
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	3 (168 Hours)
Tipo de memoria	Volatile
Tamaño de la memoria	18Mb (512K x 36)
Interfaz de memoria	Parallel
Formato de memoria	SRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada	SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 165-TFBGA (13x15)
Frecuencia de reloj	200MHz
Tiempo de acceso	3.1ns

ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Las imágenes son sólo para referencia. Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
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