| Número de pieza : | VS-1N1199RA |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Descripción : | DIODE GEN PURP 50V 12A DO203AA |
| Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 10925 pcs |
| Especificaciones | VS-1N1199RA.pdf |
| Tensión - inversa de pico (máxima) | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 12A |
| Tensión - Desglose | DO-203AA |
| Serie | - |
| Estado RoHS | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F | - |
| Polarización | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Otros nombres | *1N1199RA 1N1199RA VS-1N1199RA-ND VS1N1199RA VS1N1199RA-ND |
| Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | VS-1N1199RA |
| Descripción ampliada | Diode Standard 50V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA |
| configuración de diodo | 3mA @ 50V |
| Descripción | DIODE GEN PURP 50V 12A DO203AA |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 1.35V @ 12A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 50V |
| Capacitancia Vr, F | -65°C ~ 200°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division
