| Número de pieza : | TSM950N10CW RPG |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Descripción : | MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223 |
| Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 185438 pcs |
| Especificaciones | TSM950N10CW RPG.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | SOT-223 |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 95 mOhm @ 5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 9W (Tc) |
| embalaje | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta | TO-261-4, TO-261AA |
| Otros nombres | TSM950N10CW RPGCT TSM950N10CW RPGCT-ND TSM950N10CWRPGCT |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 28 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1480pF @ 50V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 9.3nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
| Descripción detallada | N-Channel 100V 6.5A (Tc) 9W (Tc) Surface Mount SOT-223 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Tc) |
TSC (Taiwan Semiconductor)
