Número de pieza : | TH58BYG2S3HBAI4 |
---|---|
Fabricante / Marca : | Toshiba Memory America, Inc. |
Descripción : | 4G SLC NAND BGA 24NM |
Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 5188 pcs |
Especificaciones | |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | - |
Suministro de voltaje | - |
Tecnología | FLASH - NAND (SLC) |
Paquete del dispositivo | 63-TFBGA (9x11) |
Serie | Benand™ |
Paquete / Cubierta | 63-VFBGA |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Interfaz de memoria | - |
Formato de memoria | FLASH |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) 63-TFBGA (9x11) |