| Número de pieza : | TC58NYG1S3HBAI6 |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | Toshiba Memory America, Inc. |
| Descripción : | IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA |
| Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 13413 pcs |
| Especificaciones | TC58NYG1S3HBAI6.pdf |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 25ns |
| Suministro de voltaje | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Tecnología | FLASH - NAND (SLC) |
| Paquete del dispositivo | 67-VFBGA (6.5x8) |
| Serie | - |
| embalaje | Tray |
| Paquete / Cubierta | 67-VFBGA |
| Otros nombres | TC58NYG1S3HBAI6JDH TC58NYG1S3HBAI6YCL |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
| Interfaz de memoria | Parallel |
| Formato de memoria | FLASH |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8) |
| Tiempo de acceso | 25ns |
Toshiba Memory America, Inc.
