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TC58CYG0S3HQAIE

Número de pieza : TC58CYG0S3HQAIE
Fabricante / Marca : Toshiba Memory America, Inc.
Descripción : IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP
Estado RoHS : Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 4995 pcs
Especificaciones TC58CYG0S3HQAIE.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página -
Suministro de voltaje 1.7 V ~ 1.95 V
Tecnología FLASH - NAND (SLC)
Paquete del dispositivo 16-SOP
Serie -
embalaje Tray
Paquete / Cubierta 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Otros nombres TC58CYG0S3HQAIEY0J
TC58CYG0S3HQAIEYCJ
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo de memoria Non-Volatile
Tamaño de la memoria 1Gb (128M x 8)
Interfaz de memoria SPI
Formato de memoria FLASH
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) SPI 104MHz 155µs 16-SOP
Frecuencia de reloj 104MHz
Tiempo de acceso 155µs
TC58CYG0S3HQAIE
Toshiba Memory America, Inc. Toshiba Memory America, Inc. Las imágenes son sólo para referencia. Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
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