Número de pieza : | TC58BYG1S3HBAI4 |
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Fabricante / Marca : | Toshiba Memory America, Inc. |
Descripción : | 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE |
Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 8846 pcs |
Especificaciones | TC58BYG1S3HBAI4.pdf |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 25ns |
Suministro de voltaje | 1.7 V ~ 1.95 V |
Tecnología | FLASH - NAND (SLC) |
Paquete del dispositivo | 63-TFBGA (9x11) |
Serie | Benand™ |
Paquete / Cubierta | 63-VFBGA |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Interfaz de memoria | - |
Formato de memoria | FLASH |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) 63-TFBGA (9x11) |