| Número de pieza : | TC58BVG1S3HTAI0 |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | Toshiba Memory America, Inc. |
| Descripción : | IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I |
| Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 12006 pcs |
| Especificaciones | TC58BVG1S3HTAI0.pdf |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 25ns |
| Suministro de voltaje | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tecnología | FLASH - NAND (SLC) |
| Paquete del dispositivo | 48-TSOP I |
| Serie | Benand™ |
| embalaje | Tray |
| Paquete / Cubierta | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Otros nombres | TC58BVG1S3HTAI0B4H TC58BVG1S3HTAI0YCJ |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
| Interfaz de memoria | Parallel |
| Formato de memoria | FLASH |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 25ns 48-TSOP I |
| Tiempo de acceso | 25ns |
Toshiba Memory America, Inc.
