Número de pieza : | STL8P2UH7 |
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Fabricante / Marca : | STMicroelectronics |
Descripción : | MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT22 |
Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 117199 pcs |
Especificaciones | STL8P2UH7.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±8V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | PowerFlat™ (2x2) |
Serie | DeepGATE™, STripFET™ VII |
RDS (Max) @Id, Vgs | 22.5 mOhm @ 4A, 4.5V |
La disipación de energía (máximo) | 2.4W (Tc) |
embalaje | Original-Reel® |
Paquete / Cubierta | 6-PowerWDFN |
Otros nombres | 497-14997-6 |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2390pF @ 16V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
Tipo FET | P-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
Descripción detallada | P-Channel 20V 8A (Tc) 2.4W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (2x2) |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |