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SQD25N06-22L_T4GE3

Número de pieza : SQD25N06-22L_T4GE3
Fabricante / Marca : Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción : MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA
Estado RoHS :
cantidad disponible 45031 pcs
Especificaciones SQD25N06-22L_T4GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-252AA
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 22 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo) 62W (Tc)
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1975pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 50nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60V
Descripción detallada N-Channel 60V 25A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Tc)
SQD25N06-22L_T4GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay Electro-Films (EFI) / Vishay Las imágenes son sólo para referencia. Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
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