| Número de pieza : | SQ4917EY-T1_GE3 |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | Vishay Siliconix |
| Descripción : | MOSFET ARRAY 2P-CH 60V 8SO |
| Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 48491 pcs |
| Especificaciones | SQ4917EY-T1_GE3.pdf |
| Voltaje - Prueba | 1910pF @ 30V |
| Tensión - Desglose | 8-SO |
| VGS (th) (Max) @Id | 48 mOhm @ 4.3A, 10V |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Estado RoHS | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 8A (Tc) |
| Potencia - Max | 5W (Tc) |
| Polarización | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres | SQ4917EY-T1_GE3TR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 18 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | SQ4917EY-T1_GE3 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 65nC @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 2.5V @ 250µA |
| Característica de FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Descripción ampliada | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | Standard |
| Descripción | MOSFET ARRAY 2P-CH 60V 8SO |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 60V |
