| Número de pieza : | SQ3418AEEV-T1_GE3 |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descripción : | MOSFET N-CHANNEL 30V 7.8A 6TSOP |
| Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 74981 pcs |
| Especificaciones | SQ3418AEEV-T1_GE3.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 6-TSOP |
| Serie | TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 35 mOhm @ 6A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 4W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Otros nombres | SQ3418AEEV-T1-GE3 SQ3418AEEV-T1-GE3-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 370pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | N-Channel 30V 7.8A (Tc) 4W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 7.8A (Tc) |
