| Número de pieza : | SI8261BCC-C-IS |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | Energy Micro (Silicon Labs) |
| Descripción : | DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC |
| Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 25263 pcs |
| Especificaciones | SI8261BCC-C-IS.pdf |
| Suministro de voltaje | 13.5 V ~ 30 V |
| Voltaje - Aislamiento | 3750Vrms |
| Voltaje hacia delante (Vf) (típico) | 2.8V (Max) |
| Tecnología | Capacitive Coupling |
| Paquete del dispositivo | 8-SOIC |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Tiempo de subida / bajada (típico) | 5.5ns, 8.5ns |
| Ancho de pulso Distorsión (máx.) | 28ns |
| Retardo de propagación tpLH / tpHL (Max) | 60ns, 50ns |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres | 336-2420-5 |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
| número de canales | 1 |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 6 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-SOIC |
| Corriente - Salida Pico | 4A |
| Actual - salida alta, bajo | 500mA, 1.2A |
| Corriente - Avance DC (Si) (Máx.) | 30mA |
| Inmunidad transitoria en modo común (Min) | 35kV/µs |
| aprobaciones | CQC, CSA, UR, VDE |
