| Número de pieza : | SI5920DC-T1-GE3 |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descripción : | MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8 |
| Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4349 pcs |
| Especificaciones | SI5920DC-T1-GE3.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo | 1206-8 ChipFET™ |
| Serie | TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V |
| Potencia - Max | 3.12W |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SMD, Flat Lead |
| Otros nombres | SI5920DC-T1-GE3TR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 4V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 8V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 8V 4A 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4A |
| Número de pieza base | SI5920 |
Electro-Films (EFI) / Vishay
