| Número de pieza : | SI4288DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | Vishay Siliconix |
| Descripción : | MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO |
| Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 56482 pcs |
| Especificaciones | SI4288DY-T1-GE3.pdf |
| Voltaje - Prueba | 580pF @ 20V |
| Tensión - Desglose | 8-SO |
| VGS (th) (Max) @Id | 20 mOhm @ 10A, 10V |
| Serie | TrenchFET® |
| Estado RoHS | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 9.2A |
| Potencia - Max | 3.1W |
| Polarización | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres | SI4288DY-T1-GE3TR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 24 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | SI4288DY-T1-GE3 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 15nC @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 2.5V @ 250µA |
| Característica de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Descripción ampliada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 9.2A 3.1W Surface Mount 8-SO |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | Logic Level Gate |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 40V |
