| Número de pieza : | SI2342DS-T1-GE3 |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | Vishay Siliconix |
| Descripción : | MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23 |
| Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 232962 pcs |
| Especificaciones | SI2342DS-T1-GE3.pdf |
| Voltaje - Prueba | 1070pF @ 4V |
| Tensión - Desglose | SOT-23 |
| VGS (th) (Max) @Id | 17 mOhm @ 7.2A, 4.5V |
| Vgs (Max) | 1.2V, 4.5V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | TrenchFET® |
| Estado RoHS | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 6A (Tc) |
| Polarización | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres | SI2342DS-T1-GE3-ND SI2342DS-T1-GE3TR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 24 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | SI2342DS-T1-GE3 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 15.8nC @ 4.5V |
| Tipo de IGBT | ±5V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 800mV @ 250µA |
| Característica de FET | N-Channel |
| Descripción ampliada | N-Channel 8V 6A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - |
| Descripción | MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 8V |
| relación de capacidades | 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) |
