| Número de pieza : |
SCT2750NYTB |
| Fabricante / Marca : |
LAPIS Semiconductor |
| Descripción : |
1700V .75 OHM 6A SIC FET |
| Estado RoHS : |
Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible |
5498 pcs |
| Especificaciones |
1.SCT2750NYTB.pdf2.SCT2750NYTB.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id |
4V @ 630µA |
| Vgs (Max) |
+22V, -6V |
| Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo |
TO-268 |
| Serie |
- |
| RDS (Max) @Id, Vgs |
975 mOhm @ 1.7A, 18V |
| La disipación de energía (máximo) |
57W (Tc) |
| embalaje |
Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta |
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Otros nombres |
SCT2750NYTBCT |
| Temperatura de funcionamiento |
175°C (TJ) |
| Tipo de montaje |
Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
275pF @ 800V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs |
17nC @ 18V |
| Tipo FET |
N-Channel |
| Característica de FET |
- |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) |
18V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las |
1700V |
| Descripción detallada |
N-Channel 1700V 5.9A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C |
5.9A (Tc) |
LAPIS Semiconductor
