| Número de pieza : | RS1BL R3G |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Descripción : | DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA |
| Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 630075 pcs |
| Especificaciones | RS1BL R3G.pdf |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.3V @ 800mA |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 100V |
| Paquete del dispositivo | Sub SMA |
| Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 150ns |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | DO-219AB |
| Otros nombres | RS1BL R3G-ND RS1BLR3G |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 25 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo | Standard |
| Descripción detallada | Diode Standard 100V 800mA Surface Mount Sub SMA |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 5µA @ 100V |
| Corriente - rectificada media (Io) | 800mA |
| Capacitancia Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
TSC (Taiwan Semiconductor)
