| Número de pieza : | RN2910FE,LF(CB |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descripción : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
| Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 1459077 pcs |
| Especificaciones | RN2910FE,LF(CB.pdf |
| Tensión - Colector-emisor (máx) | 50V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Paquete del dispositivo | ES6 |
| Serie | - |
| Resistor - Base del emisor (R2) | - |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Potencia - Max | 100mW |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres | RN2910FE(T5L,F,T) RN2910FE(T5LFT)TR RN2910FE(T5LFT)TR-ND RN2910FE,LF(CT RN2910FELF(CBTR RN2910FELF(CTTR RN2910FELF(CTTR-ND |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 16 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición | 200MHz |
| Descripción detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max) | 100nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max) | 100mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
