| Número de pieza : |
RN2704JE(TE85L,F) |
| Fabricante / Marca : |
Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descripción : |
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
| Estado RoHS : |
Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible |
335783 pcs |
| Especificaciones |
RN2704JE(TE85L,F).pdf |
| Tensión - Colector-emisor (máx) |
50V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic |
300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo de transistor |
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Paquete del dispositivo |
ESV |
| Serie |
- |
| Resistor - Base del emisor (R2) |
47 kOhms |
| Resistor - Base (R1) |
47 kOhms |
| Potencia - Max |
100mW |
| embalaje |
Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta |
SOT-553 |
| Otros nombres |
RN2704JE(TE85LF)CT |
| Tipo de montaje |
Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición |
200MHz |
| Descripción detallada |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce |
80 @ 10mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max) |
100nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max) |
100mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
