| Número de pieza : | NTZD3155CT1G |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción : | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 |
| Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 267941 pcs |
| Especificaciones | NTZD3155CT1G.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo | SOT-563 |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 550 mOhm @ 540mA, 4.5V |
| Potencia - Max | 250mW |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres | NTZD3155CT1GOSTR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 46 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 16V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Característica de FET | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
| Descripción detallada | Mosfet Array N and P-Channel 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 540mA, 430mA |
| Número de pieza base | NTZD3155C |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
