Número de pieza : | NP80N055MHE-S18-AY |
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Fabricante / Marca : | Renesas Electronics America |
Descripción : | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 |
Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 5559 pcs |
Especificaciones | NP80N055MHE-S18-AY.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | TO-220-3 |
Serie | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 11 mOhm @ 40A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 1.8W (Ta), 120W (Tc) |
embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | TO-220-3 |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 55V |
Descripción detallada | N-Channel 55V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |