Número de pieza : | NCV5183DR2G |
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Fabricante / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Descripción : | IC DRIVER HI/LO 600V 8SOIC |
Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 29655 pcs |
Especificaciones | NCV5183DR2G.pdf |
Suministro de voltaje | 9 V ~ 18 V |
Paquete del dispositivo | 8-SOIC |
Serie | Automotive, AEC-Q100 |
Tiempo de subida / bajada (típico) | 12ns, 12ns |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Otros nombres | NCV5183DR2GOSTR |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TJ) |
estilo de la llave | 2 |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 26 Weeks |
Tensión lógica - VIL, VIH | 1.2V, 2.5V |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Tipo de entrada | Non-Inverting |
High Voltage - Máx (Bootstrap) | 600V |
Tipo de Puerta | N-Channel MOSFET |
Configuración impulsada | Half-Bridge |
Descripción detallada | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
Corriente - Pico de salida (fuente, fregadero) | 4.3A, 4.3A |
Corriente de carga | Independent |