Número de pieza : | MURTA200120R |
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Fabricante / Marca : | GeneSiC Semiconductor |
Descripción : | DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER |
Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 383 pcs |
Especificaciones | MURTA200120R.pdf |
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 2.6V @ 100A |
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 1200V |
Paquete del dispositivo | Three Tower |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
embalaje | Bulk |
Paquete / Cubierta | Three Tower |
Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 4 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Tipo de diodo | Standard |
configuración de diodo | 1 Pair Common Anode |
Descripción detallada | Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 1200V 100A Chassis Mount Three Tower |
Corriente - Fuga inversa a Vr | 25µA @ 1200V |
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 100A |