| Número de pieza : |
MURT10005R |
| Fabricante / Marca : |
GeneSiC Semiconductor |
| Descripción : |
DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER |
| Estado RoHS : |
Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible |
554 pcs |
| Especificaciones |
1.MURT10005R.pdf2.MURT10005R.pdf |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ |
1.3V @ 50A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) |
50V |
| Paquete del dispositivo |
Three Tower |
| Velocidad |
Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie |
- |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) |
75ns |
| embalaje |
Bulk |
| Paquete / Cubierta |
Three Tower |
| Otros nombres |
MURT10005RGN |
| Temperatura de funcionamiento - Junction |
-55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje |
Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante |
4 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo |
Standard |
| configuración de diodo |
1 Pair Common Anode |
| Descripción detallada |
Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 50V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower |
| Corriente - Fuga inversa a Vr |
25µA @ 50V |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) |
100A (DC) |
GeneSiC Semiconductor
