Número de pieza : | MT29F4G08ABBEAM70M3WC1 |
---|---|
Fabricante / Marca : | Micron Technology |
Descripción : | IC FLASH 4G PARALLEL WAFER |
Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 5259 pcs |
Especificaciones | |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | - |
Suministro de voltaje | 1.7 V ~ 1.95 V |
Tecnología | FLASH - NAND |
Serie | - |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Interfaz de memoria | Parallel |
Formato de memoria | FLASH |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada | FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel |