| Número de pieza : |
MPG06M-E3/73 |
| Fabricante / Marca : |
Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Descripción : |
DIODE GEN PURP 1KV 1A MPG06 |
| Estado RoHS : |
Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible |
433513 pcs |
| Especificaciones |
MPG06M-E3/73.pdf |
| Tensión - inversa de pico (máxima) |
Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ |
1A |
| Tensión - Desglose |
MPG06 |
| Serie |
- |
| Estado RoHS |
Tape & Box (TB) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) |
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F |
10pF @ 4V, 1MHz |
| Polarización |
MPG06, Axial |
| Temperatura de funcionamiento - Junction |
600ns |
| Tipo de montaje |
Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante |
26 Weeks |
| Número de pieza del fabricante |
MPG06M-E3/73 |
| Descripción ampliada |
Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole MPG06 |
| configuración de diodo |
5µA @ 1000V |
| Descripción |
DIODE GEN PURP 1KV 1A MPG06 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr |
1.1V @ 1A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) |
1000V (1kV) |
| Capacitancia Vr, F |
-55°C ~ 150°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division
