| Número de pieza : | MBR600150CTR |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | GeneSiC Semiconductor |
| Descripción : | DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER |
| Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 439 pcs |
| Especificaciones | MBR600150CTR.pdf |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 880mV @ 300A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 150V |
| Paquete del dispositivo | Twin Tower |
| Velocidad | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | - |
| embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | Twin Tower |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 4 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo | Schottky |
| configuración de diodo | 1 Pair Common Anode |
| Descripción detallada | Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 150V 300A Chassis Mount Twin Tower |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 3mA @ 150V |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 300A |
GeneSiC Semiconductor
