| Número de pieza : | J112-D27Z |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción : | JFET N-CH 35V 625MW TO92 |
| Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 368575 pcs |
| Especificaciones | J112-D27Z.pdf |
| Tensión - Cutoff (VGS apagado) @Id | 1V @ 1µA |
| Tensión - Breakdown (V (BR) GSS) | 35V |
| Paquete del dispositivo | TO-92-3 |
| Serie | - |
| Resistencia - RDS (on) | 50 Ohms |
| Potencia - Max | 625mW |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Otros nombres | J112-D27ZTR J112_D27Z J112_D27Z-ND J112_D27ZTR J112_D27ZTR-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 6 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Descripción detallada | JFET N-Channel 35V 625mW Through Hole TO-92-3 |
| Actual - dren (IDSS) @ Vds (Vgs = 0) | 5mA @ 15V |
| Número de pieza base | J112 |
