| Número de pieza : | IXFN55N50F |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | IXYS RF |
| Descripción : | MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B |
| Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 1368 pcs |
| Especificaciones | IXFN55N50F.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 5.5V @ 8mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | SOT-227B |
| Serie | HiPerRF™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 85 mOhm @ 27.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 600W (Tc) |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | SOT-227-4, miniBLOC |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 14 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6700pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 195nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 500V |
| Descripción detallada | N-Channel 500V 55A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 55A (Tc) |
IXYS RF
