Número de pieza : |
IRLML2502GTRPBF |
Fabricante / Marca : |
International Rectifier (Infineon Technologies) |
Descripción : |
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3 |
Estado RoHS : |
Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible |
225367 pcs |
Especificaciones |
IRLML2502GTRPBF.pdf |
VGS (th) (Max) @Id |
1.2V @ 250µA |
Vgs (Max) |
±12V |
Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo |
Micro3™/SOT-23 |
Serie |
HEXFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs |
45 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
La disipación de energía (máximo) |
1.25W (Ta) |
embalaje |
Original-Reel® |
Paquete / Cubierta |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Otros nombres |
IRLML2502GTRPBFDKR |
Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) |
1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
740pF @ 15V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs |
12nC @ 5V |
Tipo FET |
N-Channel |
Característica de FET |
- |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) |
2.5V, 4.5V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las |
20V |
Descripción detallada |
N-Channel 20V 4.2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C |
4.2A (Ta) |