Número de pieza : |
IRF3315LPBF |
Fabricante / Marca : |
International Rectifier (Infineon Technologies) |
Descripción : |
MOSFET N-CH 150V 21A TO-262 |
Estado RoHS : |
Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible |
19578 pcs |
Especificaciones |
IRF3315LPBF.pdf |
VGS (th) (Max) @Id |
4V @ 250µA |
Vgs (Max) |
±20V |
Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo |
TO-262 |
Serie |
HEXFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs |
82 mOhm @ 12A, 10V |
La disipación de energía (máximo) |
3.8W (Ta), 94W (Tc) |
embalaje |
Tube |
Paquete / Cubierta |
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Otros nombres |
*IRF3315LPBF |
Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) |
1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
1300pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs |
95nC @ 10V |
Tipo FET |
N-Channel |
Característica de FET |
- |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las |
150V |
Descripción detallada |
N-Channel 150V 21A (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) Through Hole TO-262 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C |
21A (Tc) |