| Número de pieza : |
IDT71V25761YSA200BQI |
| Fabricante / Marca : |
IDT (Integrated Device Technology) |
| Descripción : |
IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA |
| Estado RoHS : |
Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible |
4477 pcs |
| Especificaciones |
1.IDT71V25761YSA200BQI.pdf2.IDT71V25761YSA200BQI.pdf |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página |
- |
| Suministro de voltaje |
3.135 V ~ 3.465 V |
| Tecnología |
SRAM - Synchronous |
| Paquete del dispositivo |
165-CABGA (13x15) |
| Serie |
- |
| embalaje |
Tray |
| Paquete / Cubierta |
165-TBGA |
| Otros nombres |
71V25761YSA200BQI |
| Temperatura de funcionamiento |
-40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje |
Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) |
3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria |
Volatile |
| Tamaño de la memoria |
4.5Mb (128K x 36) |
| Interfaz de memoria |
Parallel |
| Formato de memoria |
SRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS |
Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descripción detallada |
SRAM - Synchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 200MHz 5ns 165-CABGA (13x15) |
| Frecuencia de reloj |
200MHz |
| Número de pieza base |
IDT71V25761 |
| Tiempo de acceso |
5ns |
IDT (Integrated Device Technology)
