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HGTD3N60C3S9A

Número de pieza : HGTD3N60C3S9A
Fabricante / Marca : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción : IGBT 600V 6A 33W TO252AA
Estado RoHS : Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 4591 pcs
Especificaciones HGTD3N60C3S9A.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx) 600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 3A
Condición de prueba 480V, 3A, 82 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C -
Cambio de Energía 85µJ (on), 245µJ (off)
Paquete del dispositivo TO-252AA
Serie -
Potencia - Max 33W
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada Standard
Tipo de IGBT -
puerta de carga 10.8nC
Descripción detallada IGBT 600V 6A 33W Surface Mount TO-252AA
Corriente - Colector Pulsada (ICM) 24A
Corriente - colector (Ic) (Max) 6A
AMI Semiconductor / ON Semiconductor Las imágenes son sólo para referencia. Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
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