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GP2M009A090NG

Número de pieza : GP2M009A090NG
Fabricante / Marca : Global Power Technologies Group
Descripción : MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN
Estado RoHS : Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 4094 pcs
Especificaciones GP2M009A090NG.pdf
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-3PN
Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V
La disipación de energía (máximo) 312W (Tc)
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2740pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 72nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 900V
Descripción detallada N-Channel 900V 9A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
GP2M009A090NG
Global Power Technologies Group Global Power Technologies Group Las imágenes son sólo para referencia. Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
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