Número de pieza : | GP1M003A090PH |
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Fabricante / Marca : | Global Power Technologies Group |
Descripción : | MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK |
Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 4312 pcs |
Especificaciones | GP1M003A090PH.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | I-PAK |
Serie | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 94W (Tc) |
embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Otros nombres | 1560-1158-1 1560-1158-1-ND 1560-1158-5 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 748pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 900V |
Descripción detallada | N-Channel 900V 2.5A (Tc) 94W (Tc) Through Hole I-PAK |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |