| Número de pieza : | FR6M05 |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | GeneSiC Semiconductor |
| Descripción : | DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4 |
| Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 6122 pcs |
| Especificaciones | 1.FR6M05.pdf2.FR6M05.pdf |
| Tensión - inversa de pico (máxima) | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 6A |
| Tensión - Desglose | DO-4 |
| Serie | - |
| Estado RoHS | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F | - |
| Polarización | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Otros nombres | FR6M05GN |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | 500ns |
| Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | FR6M05 |
| Descripción ampliada | Diode Standard 1000V (1kV) 6A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| configuración de diodo | 25µA @ 50V |
| Descripción | DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 1.4V @ 6A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 1000V (1kV) |
| Capacitancia Vr, F | -65°C ~ 150°C |
