| Número de pieza : | FQPF33N10L |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción : | MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F |
| Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 54527 pcs |
| Especificaciones | FQPF33N10L.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-220F |
| Serie | QFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 52 mOhm @ 9A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 41W (Tc) |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-220-3 Full Pack |
| Otros nombres | FQPF33N10L-ND FQPF33N10LFS |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 5 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1630pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 40nC @ 5V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
| Descripción detallada | N-Channel 100V 18A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220F |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
