Número de pieza : | FDT86106LZ |
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Fabricante / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Descripción : | MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4 |
Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 55225 pcs |
Especificaciones | 1.FDT86106LZ.pdf2.FDT86106LZ.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 2.2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | SOT-223-4 |
Serie | PowerTrench® |
RDS (Max) @Id, Vgs | 108 mOhm @ 3.2A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 2.2W (Ta) |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | TO-261-4, TO-261AA |
Otros nombres | FDT86106LZ-ND FDT86106LZTR |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 25 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 315pF @ 50V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
Descripción detallada | N-Channel 100V 3.2A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Ta) |