| Número de pieza : | EPC2104 |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | EPC |
| Descripción : | TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG |
| Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 6151 pcs |
| Especificaciones | EPC2104.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 5.5mA |
| Paquete del dispositivo | Die |
| Serie | eGaN® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 20A, 5V |
| Potencia - Max | - |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | Die |
| Otros nombres | 917-1184-2 |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 14 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 50V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 7nC @ 5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica de FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 23A Surface Mount Die |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 23A |
EPC
