Número de pieza : | EPC2022ENGRT |
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Fabricante / Marca : | EPC |
Descripción : | TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE |
Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 5747 pcs |
Especificaciones | EPC2022ENGRT.pdf |
Voltaje - Prueba | 1400pF @ 50V |
Tensión - Desglose | Die |
VGS (th) (Max) @Id | 3.2 mOhm @ 25A, 5V |
Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
Serie | eGaN® |
Estado RoHS | Cut Tape (CT) |
RDS (Max) @Id, Vgs | 90A (Ta) |
Polarización | Die |
Otros nombres | 917-1140-1 917-1140-1-ND 917-EPC2022ENGRCT\ |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante | EPC2022ENGRT |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13nC @ 5V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 2.5V @ 12mA |
Característica de FET | N-Channel |
Descripción ampliada | N-Channel 100V 90A (Ta) Surface Mount Die |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - |
Descripción | TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 100V |
relación de capacidades | - |