Número de pieza : | EMD4DXV6T1G |
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Fabricante / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Descripción : | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 657926 pcs |
Especificaciones | EMD4DXV6T1G.pdf |
Tensión - Colector-emisor (máx) | 50V |
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Paquete del dispositivo | SOT-563 |
Serie | - |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms, 10 kOhms |
Potencia - Max | 500mW |
embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | SOT-563, SOT-666 |
Otros nombres | EMD4DXV6T1G-ND EMD4DXV6T1GOSTR |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 2 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frecuencia - Transición | - |
Descripción detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Corriente - corte del colector (Max) | 500nA |
Corriente - colector (Ic) (Max) | 100mA |