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EMB61T2R

Número de pieza : EMB61T2R
Fabricante / Marca : LAPIS Semiconductor
Descripción : TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Estado RoHS : Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 626020 pcs
Especificaciones 1.EMB61T2R.pdf2.EMB61T2R.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA
Tipo de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo EMT6
Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 10 kOhms
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Potencia - Max 150mW
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta SOT-563, SOT-666
Otros nombres EMB61T2RTR
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición 250MHz
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 50mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA
Corriente - colector (Ic) (Max) 50mA
EMB61T2R
LAPIS Semiconductor LAPIS Semiconductor Las imágenes son sólo para referencia. Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
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