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EMA3T2R

Número de pieza : EMA3T2R
Fabricante / Marca : LAPIS Semiconductor
Descripción : TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W
Estado RoHS : Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 513952 pcs
Especificaciones 1.EMA3T2R.pdf2.EMA3T2R.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Paquete del dispositivo EMT5
Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) -
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Potencia - Max 150mW
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición 250MHz
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA
EMA3T2R
LAPIS Semiconductor LAPIS Semiconductor Las imágenes son sólo para referencia. Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
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