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CY7C1412BV18-200BZC

Número de pieza : CY7C1412BV18-200BZC
Fabricante / Marca : Cypress Semiconductor
Descripción : IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
Estado RoHS : Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible 5786 pcs
Especificaciones CY7C1412BV18-200BZC.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página -
Suministro de voltaje 1.7 V ~ 1.9 V
Tecnología SRAM - Synchronous, QDR II
Paquete del dispositivo 165-FBGA (15x17)
Serie -
embalaje Tray
Paquete / Cubierta 165-LBGA
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo de memoria Volatile
Tamaño de la memoria 36Mb (2M x 18)
Interfaz de memoria Parallel
Formato de memoria SRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb (2M x 18) Parallel 200MHz 165-FBGA (15x17)
Frecuencia de reloj 200MHz
Número de pieza base CY7C1412
CY7C1412BV18-200BZC
Cypress Semiconductor Cypress Semiconductor Las imágenes son sólo para referencia. Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
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