| Número de pieza : | APTM20DHM10G |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | Microsemi |
| Descripción : | MOSFET 2N-CH 200V 175A SP6 |
| Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4176 pcs |
| Especificaciones | 1.APTM20DHM10G.pdf2.APTM20DHM10G.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 5mA |
| Paquete del dispositivo | SP6 |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 12 mOhm @ 87.5A, 10V |
| Potencia - Max | 694W |
| embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | SP6 |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13700pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 224nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Característica de FET | Standard |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 200V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 175A 694W Chassis Mount SP6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 175A |
