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AOTF22N50L

Número de pieza : AOTF22N50L
Fabricante / Marca : Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción : MOSFET N-CH
Estado RoHS : Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 25408 pcs
Especificaciones 1.AOTF22N50L.pdf2.AOTF22N50L.pdf
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-220-3F
Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 260 mOhm @ 11A, 10V
La disipación de energía (máximo) 39W (Tc)
embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3710pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 83nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 500V
Descripción detallada N-Channel 500V 22A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220-3F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Tc)
AOTF22N50L
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. Alpha and Omega Semiconductor, Inc. Las imágenes son sólo para referencia. Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
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