Número de pieza : | AON2406 |
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Fabricante / Marca : | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
Descripción : | MOSFET N-CH 20V 8A 6LDFN |
Estado RoHS : | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 142783 pcs |
Especificaciones | 1.AON2406.pdf2.AON2406.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±8V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | 6-DFN-EP (2x2) |
Serie | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 12.5 mOhm @ 8A, 4.5V |
La disipación de energía (máximo) | 2.8W (Ta) |
embalaje | Cut Tape (CT) |
Paquete / Cubierta | 6-UDFN Exposed Pad |
Otros nombres | 785-1491-1 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 26 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1140pF @ 10V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
Descripción detallada | N-Channel 20V 8A (Ta) 2.8W (Ta) Surface Mount 6-DFN-EP (2x2) |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |